MIT и Stanford представили 3-D чип, объединяющий процессор и ОЗУ

Стэнфордский институт и Массачусетский технологический институт соединили усилия для разработки первого 3-D чипа, в коий интегрируют оперативную память в чип микропроцессора, построенный с внедрением углеродных нанотрубок. Эта разработка может употребляться для преодоления проблем во связи меж логическими схемами и блоками памяти.

3-D чип обрисовали в статье популярного журнальчика Nature. MIT/Stanford говорят, что новейший чип принципно изменяет метод производства транзисторов. Современные транзисторы выполнены из кремния, но предложенные MIT/Stanford сделаны из графеновых нанотрубок. Снутри чипа конечно есть логический левел (слой CNFET). Последующий слой состоит из нового типа памяти (это общее обозначение для комплекса познавательных способностей и высших психических функций по накоплению, сохранению и воспроизведению знаний и навыков) под заглавием «резистивная память с произвольным доступом» (RRAM), принцип работы коей основан на изменение сопротивления диэлектрического материала. Согласно одному из соавторов исследования, RRAM может быть более плотной, резвой и более энергоэффективной по сопоставлению с DRAM.

Уровни логики и памяти чередуются, и меж слоями находятся «сверхплотные» провода, кои действуют как полосы связи. Невзирая на то, что микросхема углеродных нанотрубок, разработанная MIT/Stanford, весьма неспешная по сопоставлению с текущими многоядерными микропроцессорами, управляющий спецпроекта Макс Шулакер заявляет, что более сложные проекты – это вообще всего лишь вопросец времени. 3-D чип соединяет воединыжды более 1 миллиона ячеек RRAM и 2 миллиона полевых транзисторов из углеродных нанотрубок. На сейчас это самая непростая наноэлектронная система, сделанная при помощи новейших нанотехнологий.

• Facebook
• Twitter
• Гугл+
• VKontakte
• Odnoklassniki
• Telegram